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日本

コア技術

MEMS技術

特徴ある圧電膜を応用した機械要素部品を設計/製造する技術

圧電材料に関するナレッジと製膜/微細加工/高精度実装技術の融合により、迅速かつニーズにマッチしたMEMS設計・デバイス製造が可能

富士フイルムの圧電材料の特長
  • 優れた電圧変位応答のリニアリティ
  • 分極処理が不要
    成膜直後から使用可能、キュリー点(340℃)昇温後も特性戻る
  • 均一性・再現性の高い成膜

8インチ圧電薄膜ウェハ

高圧電定数と高耐久性をハイレベルで両立
富士フイルムのニオブ添加PZTと、A社スパッタPZT、B社スパッタPZT、C社ゾルゲルPZTの圧電定数を比較した棒グラフ。富士フイルムのPZTが圧電定数d31が220であり、A~C社と比べて最も高い値を示している。
駆動パルス数に対する変位量の推移を示したプロット。10^11回のパルス駆動後も変位の劣化がないことを示している。
構造:従来のPZTに高い濃度でNbをドープ(特許取得済)
上側にニオブ添加PZTの結晶構造、下側に従来バルク品・当社薄膜それぞれの断面SEM像と、分極方向の模式図を示している。ニオブ添加PZTの結晶構造は、結晶格子の中央に、本来ジルコニウムもしくはチタンが入る部分に、ニオブが入った構造。バルク品はランダムな結晶粒が集まった構造であり、分極方向はバラバラである。これに対し、当社薄膜は、膜厚方向に延びる結晶の柱が集まった構造をしており、分極方向は膜厚方向に揃っている。