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- ベースライン材料除去の選択比が異なる複数のプラットフォーム
- 各プラットフォーム内で調整可能な選択比
- 設計による非常に低い欠陥率
- 競争力のあるコスト
- FSL1600C
- ロジックおよびメモリー用のゲートラスト／リプレースメタルゲート（RMG）集積用の次世代Poly Open Polish（POP）スラリー
- 窒化膜、酸化膜の非選択的除去のベースラインとなり、ポリシリコン上で優れた研磨停止膜となる
- 3つすべての誘電体の研磨速度と研磨選択比が調整可能
- 高純度のコロイドシリカと超高純度の化学品により、非常に低い欠陥率を実現
- 濃縮配合により魅力的なコストを実現
- FSL1531C
- さまざまな誘電体および金属上で高い研磨選択性があるポリシリコンスラリー
- 超高速および中間のポリシリコン研磨速度が可能。高いTi/TiNライナー研磨速度
- TMAH（水酸化テトラメチルアンモニウム）フリーのEHS（環境・労働安全衛生）に無害な化学品および高純度コロイドシリカが超低欠陥率を実現
- 魅力的なコストを実現するために、希釈性の高いスラリー製品を提供
- FSL1700C
- 窒化ケイ素上で研磨停止膜となる酸化ケイ素スラリー
- 市場をリードする「シリカベース」のシャロートレンチアイソレーション（STI）スラリー
- STIの業界標準をセリアからシリカに変更
- ブランケットおよびパターンウェーハ上の窒化ケイ素上で非常に優れた研磨停止膜となる
- 他の金属（タングステン、コバルトなど）や誘電体（ポリシリコンなど）で、高い選択性のあるスラリー
- 高純度コロイドシリカを使用しているため、（セリアと比較して）欠陥率が非常に低い
- 高度なロジックおよびメモリー用のSTIアプリケーションにおける欠陥率の改善を目的とした重要なスラリー
- 濃縮配合により魅力的なコストを実現
- FSL1820C
- 酸化ケイ素上で研磨停止膜となる窒化ケイ素スラリー
- SACキャップ、HM、エッチストップなどの「リバースSTI」アプリケーション用の窒化物スラリー
- 他の金属（タングステン、コバルトなど）や誘電体（ポリシリコンなど）で、高い選択性のあるスラリー
- ブランケットおよびパターンウェーハ上での窒化ケイ素対酸化ケイ素の高い選択比
- FSL1400C
- 誘電体に対して非選択的な研磨速度を適用する金属（Ti、Zr、Hf、Al）酸化物スラリー
- 酸化金属やシリコンベースの誘電体に調整可能な研磨速度と研磨選択比を提供
- 独自の除去速度が強化された化学品により、高速の膜研磨速度を実現
- 高純度のコロイドシリカベースの希釈可能な配合により、超低欠陥率の魅力的なCoOを実現
- FSL1450C
- 誘電体上で研磨停止膜となる金属（Ti、Zr、Hf、Al）酸化物スラリー
- 窒化ケイ素、酸化物、SiGe、ポリシリコン膜上で良好な研磨停止膜となる
- 酸化金属やシリコンベースの誘電体に調整可能な研磨速度と研磨選択比を提供
- 高純度のコロイドシリカベースの非常に希釈性の高い配合により、低欠陥率の魅力的なCoOを実現
- FSL3400C
- 誘電体上で研磨停止膜となる、または誘電体に対して非選択的な研磨速度を適用するタングステンスラリー
- 誘電体用途で研磨停止膜となるための、窒化ケイ素、酸化物、SiGe、ポリシリコン膜上での優れた研磨停止膜
- 非選択的用途に対してタングステンおよびシリコンベース誘電体に調整可能な研磨速度と研磨選択比を提供
- 高純度のコロイドシリカベースの非常に希釈性の高い配合により、超低欠陥率を実現
